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SI1307DL-T1-E3 |
SC-70，SOT-323 | Vishay Siliconix | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SI1307DL-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：12V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：850mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：- 功率 - 最大值：290mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形CS3102A-32-22S 陶瓷电容器1210GC681KAT1A 圆形 - 外壳KPSE06A12-10SF0 嵌入式 - FPGLFEC6E-3QN208C 配件CV500-BSC11 功率，高于 2 安KUMP-14D18-24 TVS - 二极管15KPA130C Card EdgeEBA06DTAH 高负载 - 外壳，1666120000 RF 天线BB2503S |
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